CVE-2021-42114

Müasir DRAM cihazları (PC-DDR4, LPDDR4X), Rowhammer hücumlarına qarşı daxili Target Row Refresh (TRR) tədbirlərindəki zəiflikdən təsirlənir. Müxtəlif tezliklərə, fazalara və amplitudalara malik aqressorlardan ibarət yeni qeyri-uniform Rowhammer giriş nümunələri, bizim Blacksmith fuzzer-imiz vasitəsilə təsirlənmiş yaddaş modullarında bit dəyişmələrinin (bit flip) baş verməsinə şərait yaradır. Blacksmith tərəfindən generasiya edilən nümunələr, üç əsas DRAM istehsalçısını (Samsung, SK Hynix və Micron) əhatə edən test hovuzumuzdakı bütün 40 PC-DDR4 DRAM cihazında bit dəyişmələrini tetikləyə bildi. Bu o deməkdir ki, hətta Rowhammer-dən azad olduğu iddia edilən çiplərdən istifadə edildikdə belə, hücumçular Rowhammer-dən istifadə edə bilərlər. Məsələn, bu, kernel-ə və ya sudo kimi binar fayllara qarşı imtiyazların yüksəldilməsi hücumlarını, həmçinin çarpaz-tenant virtual maşın girişini əldə etmək üçün RSA-2048 açarlarında (məsələn, SSH açarları) bit dəyişmələrinin tetiklənməsini mümkün edir. Təsdiqləyirik ki, 2020-ci ilin iyul ayında əldə edilmiş və üç əsas DRAM vendorunun (Samsung, SK Hynix, Micron) çipləri olan DRAM cihazları bu zəiflikdən təsirlənir. Daha ətraflı məlumat üçün nəşrimizə müraciət edin.